KAWASAKI, Giappone–(BUSINESS WIRE)–Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) oggi ha annunciato che costruirà un nuovo stabilimento di produzione back-end di dispositivi a semiconduttori di potenza presso la sede di Himeji Operations – Semiconductor, Prefettura di Hyogo, nel Giappone occidentale. La costruzione inizierà a giugno 2024 e si prevede l’inizio delle attività di produzione entro la primavera del 2025. Il progetto raddoppierà e oltre la capacità di produzione di dispositivi a semiconduttori di potenza Toshiba per il settore automotive a Himeji, rispetto all’anno finanziario 2022.
I dispositivi di potenza sono componenti essenziali per la gestione e la riduzione del consumo di potenza in tutti i tipi di apparecchi elettronici oltre che per ridurre il consumo energetico. Più di tutti gli altri prodotti, si prevede una crescita continua della richiesta di MOSFET a bassa tensione – una tecnologia su cui Toshiba focalizza l’attenzione – di pari passo con i progressi dell’elettrificazione dei veicoli e dell’automazione di attrezzature industriali.
Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l’unico giuridicamente valido.
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